A tecnologia de gravação a seco é um dos principais processos. O gás de gravação seco é um material -chave na fabricação de semicondutores e uma importante fonte de gás para a gravação de plasma. Seu desempenho afeta diretamente a qualidade e o desempenho do produto final. Este artigo compartilha principalmente quais são os gases de gravação comumente usados no processo de gravação a seco.
Gases à base de flúor: comotetrafluoreto de carbono (CF4), hexafluoroetano (C2F6), trifluorometano (CHF3) e perfluoropropano (C3F8). Esses gases podem efetivamente gerar fluoretos voláteis ao gravar compostos de silício e silício, alcançando assim a remoção do material.
Gases à base de cloro: como cloro (CL2),tricloreto de boro (bcl3)e tetracloreto de silício (Sicl4). Os gases à base de cloro podem fornecer íons cloreto durante o processo de gravação, o que ajuda a melhorar a taxa e a seletividade da gravação.
Gases à base de bromo: como bromo (BR2) e iodeto de bromo (IBR). Os gases à base de bromo podem proporcionar um melhor desempenho de gravação em determinados processos de gravação, especialmente quando gravar materiais duros, como o carboneto de silício.
Gases à base de nitrogênio e à base de oxigênio: como o trifluoreto de nitrogênio (NF3) e o oxigênio (O2). Esses gases são geralmente usados para ajustar as condições de reação no processo de gravação para melhorar a seletividade e a direcionalidade da gravação.
Esses gases alcançam a gravação precisa da superfície do material através de uma combinação de pulverização física e reações químicas durante a gravação plasmática. A escolha do gás de gravação depende do tipo de material a ser gravado, dos requisitos de seletividade da gravação e da taxa de gravação desejada.
Hora de postagem: Feb-08-2025
