A tecnologia de gravação a seco é um dos processos-chave. O gás de gravação a seco é um material essencial na fabricação de semicondutores e uma importante fonte de gás para gravação a plasma. Seu desempenho afeta diretamente a qualidade e o desempenho do produto final. Este artigo aborda principalmente os gases de gravação comumente utilizados no processo de gravação a seco.
Gases à base de flúor: comotetrafluoreto de carbono (CF4), hexafluoroetano (C2F6), trifluorometano (CHF3) e perfluoropropano (C3F8). Esses gases podem gerar fluoretos voláteis com eficiência ao gravar silício e compostos de silício, promovendo assim a remoção de material.
Gases à base de cloro: como o cloro (Cl2),tricloreto de boro (BCl3)e tetracloreto de silício (SiCl4). Gases à base de cloro podem fornecer íons cloreto durante o processo de corrosão, o que ajuda a melhorar a taxa de corrosão e a seletividade.
Gases à base de bromo: como bromo (Br2) e iodeto de bromo (IBr). Gases à base de bromo podem proporcionar melhor desempenho de corrosão em certos processos, especialmente na corrosão de materiais duros, como carboneto de silício.
Gases à base de nitrogênio e oxigênio: como trifluoreto de nitrogênio (NF3) e oxigênio (O2). Esses gases são geralmente usados para ajustar as condições de reação no processo de corrosão, a fim de melhorar a seletividade e a direcionalidade da corrosão.
Esses gases realizam a gravação precisa da superfície do material por meio de uma combinação de pulverização catódica física e reações químicas durante a gravação a plasma. A escolha do gás de gravação depende do tipo de material a ser gravado, dos requisitos de seletividade da gravação e da taxa de gravação desejada.
Horário da publicação: 08/02/2025
